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[硕博家园]

米格实验室具体科研服务能力

labideas1 发表于 2017-2-17 14:46 |查看: 39658|回复: 2|显示全部楼层 |阅读模式
1. 材料检测分析技术

(1)服务领域:
金属材料、有机材料、无机材料、半导体材料及制品集成电路、微机械、半导体照明、激光、显示、传感、电子电路元件与系统、纳米材料与结构、能源环保、阻燃、建筑建材等细分领域
(2)检测分类:

■ 组织结构:
形貌、结构、成分、金相实验、物相分析、晶体结构、晶粒取向、织构、相鉴定、残余应力、腐蚀等。

■ 化学分析:
金属、合金、矿石、有机物成分分析、金属镀层分析、RoHS、水及环境样品分析、药物、食品、建材等有害元素分析、未知配方分析。

■ 物理性能:
电阻率、密度、表面粗糙度、热膨胀系数、熔点、相变、比热。

■ 力学性能:
高低温压缩、拉伸、弯曲、冲击、硬度、弹性模量、疲劳性能、断裂韧性、低周及高周疲劳、高温持久/蠕变性能、韧脆性转变温度、无塑性转变温度、动态撕裂、落锤撕裂、金属薄板塑性应变(r值)、热模拟试验。

■ 热学性能:
比热容、熔点、熔融热焓、结晶温度、结晶热焓、玻璃化转变温度、热失重温度、热膨胀系数、热裂解温度、储能模量、损耗模量、粘弹性、蠕变与应力松弛、杨氏模量、剪切模量、塞贝克系数等。

■ 磁学性能:
磁化率、磁导率、磁致伸缩、磁致损耗、剩磁、矫顽力、磁化强度,磁化率,磁畴、磁滞回线、磁能积、表面磁通。

■ 电学性能:
介电常数、电导率或电阻率、方块电阻、击穿电压、绝缘性能

■ 光学性能:
反射、折射、透射、吸收、光致发光、电致发光、荧光、拉曼

特色电镜技术服务
1.  服务能力介绍:

(1)扫描电镜 SEM

■ 二次电子像(SE) :
形貌分析、平整度分析
■ 背散射电子像(BSE):
形貌分析、定性成分分析

■ 阴极发光(CL):
样品缺陷、痕量元素(过渡金属元素)分布图像

■ 原位测量(In situ):
高温拉伸、高温压缩等等

■ 背散射电子衍射分析(EBSD):
晶体取向分析、极图分析

■ 环境样品分析:
低气压、生物、含水样品、及其他不导电样品分析

(2)透射电镜 TEM

■ 形貌分析:
明场、暗场像、高分辨像、STEM、高角环形暗场像 HADDF

■ 能谱分析(EDS):
线扫描、面扫描(mapping)

■ 电子能量损失谱(ELLS):
Z>1元素的成分、化学键、带结构、极化、价带与导带电子密度

■ 电子衍射:
晶体结构分析

■ 原位分析(In situ):
高温拉伸、压缩、扭转等

(3)制样服务 Sample Preparation

■ 扫描电镜样品:
喷碳、喷金、镶嵌、切割、截面解理等

■ 透射电镜样品:
FIB切样、离子减薄、样品磨抛、电解双喷、碳复型

■ EBSD样品制备:
离子减薄、离子磨抛、FIB抛光、喷碳

2. 薄膜生长与沉积技术

(1)薄膜种类

金属膜:各种高熔点金属和非金属薄膜的蒸镀
介质膜:氧化硅、氮化硅、非晶硅薄膜及氮氧化硅薄膜低温、低应力制备
光学膜:各种多层膜,包括光学膜、介质膜和电极膜的蒸镀
外延膜:Si、SiGe、InP、GaAs、GaN、SiC、AlN基的半导体芯片外延膜
(2)服务项目:

等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)
单晶硅Si、多晶硅Poly-Si、SiO2、SiNx、Al2O3、ZnO等薄膜材料;在低温下(300℃)即可淀积高质量的薄膜,淀积速率高,应用范围广泛。

■ 电感耦合等离子体增强化学气相沉积系统(ICP-PECVD)
Si、SiO2、Poly-Si、SiNx;生长温度低、等离子体密度高,可制备低应力、超厚介质膜,最大厚度30 um的SiO2。

■ 低压化学气相沉积(LPCVD)
多晶硅、SiNX,同时可以进行B、P的掺杂;获得低应力、高质量的介质膜;

■ 原子层沉积系统(ALD)
TiN、TaN、Al2O3、Ta2O5、La2O3、TiO2、HfO2、AlN及其多层组合或混合物生长;生长厚度100nm以下,可以对样品进行O2、N2、He、NH3及其混合气体的离子处理。

■ 离子束溅射系统(IBS)
二氧化硅、五氧化二钽、硅、三氧化二铝、ITO等各种靶材,可用于制备各类型半导体光电器件反射及增透膜、光学反射镜片、光学边带滤波片及带通滤波片等等。其与电子束蒸发工艺相比,膜层均匀性好、附着力强、生长速率快。

■ 磁控溅射系统(MSS)
Ti 、Al、Co、Ni、Fe、Cu、W、TiN、Ta、Cr、Wti及SiO2、SiN等介质薄膜的溅射沉积;可以在自动模式下进行多层薄膜的沉积,样品加热功能最高到700摄氏度。

■ 金属有机气相沉积(MOCVD)与分子束外延(MBE)
InP基、GaAs基、 GaSb基、GaN基、Sapphire、Si、ZnO衬底上生长Si/SiGe、Si、Ge、InP; GaAs、AlGaAs、InGaAs、AlInAs、InAs、InGaAsP、GaSb;GaN、InGaN、AlGaN、InN、AlN、SiC、 ZnO;晶片尺寸2到8英寸,用于制备高性能QW-LD、QCL、ICL、SLD、PD、APD、LED、MESFET、HEMT、PHEMT、MHEMT、NIP等外延片;

(3)设备能力:
等离子体增强气相沉积 PECVD、原子层沉积 ALD、磁控溅射、离子束溅射、电感耦合-等离子体增强气相沉积 ICP-PECVD、低压化学气相沉积 LPCVD、金属有机气相化学沉积 MOCVD、分子束外延系统 MBE、化学气相沉积 CVD。

3. 微纳器件加工技术

(1)加工范围:
光电子材料和器件:
发光二极管 LED、半导体激光器 LD、光纤 Fiber、波导器 、调制器、探测器、太阳能电池、APD、硅基光电器件。

微电子机械系统(MEMS):
速度、加速度、压力、温度、湿度、气体、磁、光、声、生物、化学等类型芯片,成熟的有加速度计、陀螺仪、微流控、麦克风、生物检测类产品。

红外激光与探测(IR-LD&PD):
量子阱激光器、InGaAs探测器、MCT、InSb探测器、量子级联激光器QCL、QCD、ICL、二类超晶格激光与探测、超辐射SLD。

照明与显示器件:
蓝、绿、红、紫外LED、液晶显示屏DSTN-LCD、TFT-LCD、IPS、OLED、量子点显示。

电力电子器件:
晶闸管、绝缘栅双极晶体管IGBT、功率 MOSFET、电力二极管、 Si基及SiC基器件。
(2)服务项目:

■ 外延生长:
MBE、MOCVD、MOVPE、PECVD、CVD、LPCVD、磁控溅射等。

■ 光刻工艺:
电子束曝光、全息曝光、激光直写系统、纳米压印、紫外光刻、FIB等。

■ 介质膜沉积:
PECVD、ICP-PECVD、CVD、离子束溅射、ALD、LPCVD等

■ 金属膜沉积:
电子束蒸发、磁控溅射、热蒸发。

■ 刻蚀工艺:
氧化硅ICP刻蚀、深硅刻蚀工艺、金属ICP刻蚀机、III-V ICP刻蚀、反应离子RIE刻蚀、SiC、GaN等ICP刻蚀、离子束刻蚀等。

■ 器件封装:
倒装焊、金丝球焊、砂轮划片、激光划片、晶片键合、平行封焊、抛光。

■ 器件测试:
椭偏仪、棱镜耦合仪(膜厚)、台阶仪、3D显微镜、扫描电镜、四探针、原子力测试、半导体参数测试、分光光度计、探针台、功率器件测试等。

■ 离子注入:
高能离子注入机、离子注入机。

■ 热处理:
高温退火、快速退火、合金退火炉、高温扩散炉、退化炉、真空合金炉。

(3)设备能力:

       双面对准紫外曝光系统、电子束曝光分辨率优于8 nm、激光直写、激光干涉曝光机、全息曝光、飞秒激光三维加工、纳米压印系统、ICP刻蚀、RIE刻蚀、离子束刻蚀系统、磁控溅射、PECVD、ICP-PECVD、LPCVD、热氧化炉、CVD、ALD、电子束蒸发、FIB、扫描电镜、台阶仪、3D显微镜、原子力显微镜、轮廓仪、椭偏仪、棱镜耦合仪、XPS、拉曼光谱、半导体参数测试仪、近场光学、远场、功率、砂轮划片、激光划片、倒装焊、平行封焊、光纤耦合系统、金丝球焊、探针台等。
4. 可靠性测试服务

(1)服务范围:

器件方面:
电子元器件、集成电路、功率器件、混合电路、微电路模块\u000b分立器件、特种元件、机电组件、光电器件、微波器件等

智能硬件:
智能家居、可穿戴设备、车联网、智能电视、传感器等
(2)服务项目:

■ 环境试验
温度循环(空气-空气)、热冲击(液体-液体)、低气压、盐雾/盐气、交变/稳态湿热、高温贮存、低温贮存、强加速稳态湿热(高压蒸汽)、浸渍及热真空释气试验等;

■ 物理试验
内部气体成份分析、粒子碰撞噪声检测、密封(粗细检漏)、键合强度、芯片粘附强度、内、外部目检、制样镜检;

■ 机械检验
随机振动、扫频振动、振动疲劳、振动噪声、冲击、恒定加速度等;

■ 电学测试
混合集成电路、微电路模块、单片集成电路、二/三极管、介质耐电压、绝缘电阻、接触电阻、直流电阻、电容量;

■ 特色项目
塑封产品的DPA及可靠性试验:X射线检查、超声检测、染色渗透试验、强加速稳态湿热(高压蒸汽)、化学开封等;

■ 其他试验
X射线检查、超声检测、静电放电敏感度分类(ESD)、染色渗透试验、高温/常温稳态寿命、化学开封、热像分析等。

(1)服务范围:
5. 聚焦离子束&二次离子质谱分析

集成电路:芯片的线路修改
透射样制备:金属、合金、半导体材料、陶瓷、纤维、纳米材料、EBSD样制备
微纳结构加工:截面解剖及成像、纳米加工(沉积及刻蚀)
精密成分分析:LED、Solar Cell、LD、PD、MEMS等微电子、光电子、材料等。
(2)服务项目:
■ 精密切割沉积:线路修改、TEM样制备、EBSD样制备。
■ 精密成分分析:分析元素、有机、无机、金属等,包括Fe、Al、Ga、Na、Mg、K、Ga、B、C、N、P、S、As、O、V等。

二次离子质谱(SIMS):
一定能量的离子打到固体表面会引起表面原子、分子或原子团的二次发射,即离子溅射,利用质量分析器接收分析二次离子就得到二次离子质谱。

(3)设备能力:
FEI 聚焦离子束FIB Helios 600 i、聚焦离子束 Helios NanoLab 460 HP、二次离子质谱仪SIMS IMS 1280(法国)、飞行时间二次离子质谱 TOF.SIMS 5。

水滴 发表于 2017-2-20 02:10 显示全部楼层
说的非常好
 楼主| labideas1 发表于 2017-2-20 09:49 显示全部楼层

多谢支持!有任何科研问题,都可以咨询米格实验室。尤其是材料半导体类的。
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